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台积电申请集成电路芯片及其形成方法专利,有助于形成集成电路芯片
admin 2024-08-31 09:16:16 财经 已有人查阅
导读2024 年 8 月 30 日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“集成电路芯片及其形成方法“,公开号 CN202410497512.7,申请日期为 2024 年 ......
2024 年 8 月 30 日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“集成电路芯片及其形成方法“,公开号 CN202410497512.7,申请日期为 2024 年 4 月。
专利摘要显示,一些实施例是有关于一种形成集成电路芯片的方法,包括:在衬底上方形成第一导线层级;在第一导线层级上方沉积刻蚀停止层;对刻蚀停止层进行刻蚀,以在第一导线层级上方形成开口;在刻蚀停止层上方沉积阻障层,其中阻障层延伸进入开口;在阻障层上方与开口中沉积第一导体层;平坦化第一导体层,以使第一导体层的顶面被平坦化,其中平坦化停止于暴露出阻障层之前;在第一导体层上方沉积资料储存层与第二导体层;以及图案化阻障层、第一导体层、资料储存层与第二导体层,以在开口处形成内存胞元。
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