武汉云岭光电申请基于对接生长工艺的激光器相关专利，避免氢氟酸与铝反应产生的钻蚀现象

2024年8月21日消息，天眼查知识产权信息显示，武汉云岭光电股份有限公司申请一项名为“基于对接生长工艺的激光器制作方法以及激光器“，公开号CN202410526938.0，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本发明涉及光通信技术领域，提供了一种基于对接生长工艺的激光器制作方法，包括如下步骤：S1，于衬底上生长外延结构；S2，继续于外延结构上依次生长InGaAsP层、第一InP层以及阻挡层；S3，于阻挡层上生长掩膜层并进行刻蚀，将无掩膜区域刻蚀至InGaAsP层中；S4，采用硫酸系各向异性腐蚀液腐蚀InGaAsP层，再用稀释氢氟酸去掉侧壁氧化层，并保留表面的掩膜层；S5，接着采用对接工艺对接生长AlGaInAs层；S6，对接生长完毕后，利用氢氟酸去掉掩膜层；S7，接着去掉阻挡层后接着外延生长并制作收尾结构，完成激光器的制作。还提供一种激光器，采用上述的生长方法制得。本发明采用对接生长工艺，在InGaAsP层对接生长AlGaInAs层时，AlGaInAs层生长在阻挡层之下，避免氢氟酸与铝反应产生的钻蚀现象。

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