瀚天天成取得降低碳化硅外延片生长缺陷的专利，提高外延生长的质量

2024 年 8 月 14 日消息，天眼查知识产权信息显示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司取得一项名为“一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底“，授权公告号 CN113782422B，申请日期为 2020 年 12 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种降低碳化硅外延生长缺陷的方法及碳化硅衬底，所述方法包括：步骤 10：碳化硅衬底的注入面表面沉积 500‑800nm 的 SiO2 作为掩膜层，对刻蚀窗口下掩膜层进行刻蚀，完成刻蚀后，对光刻胶进行清洗；步骤 20：对上一步获得的碳化硅衬底的所述注入面进行 N 元素的高温离子注入，形成高 N 区域；步骤 30：完成 N 元素的高温离子注入后，使用酸性缓冲液进行清洗，洗去掩膜层，得到经过处理的碳化硅衬底，以其作为外延生长的基片。该方法可以阻止常规碳化硅衬底中 BPD 延伸扩展导致的外延生长堆垛层错（SF）的形成，提高外延生长的质量。

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